İnce film transistör

(İnce tabakalı transistör sayfasından yönlendirildi)

Diyot için ince tabakalı diod sayfasına bakınız.

Birkaç çeşit TFT konstrüksiyon.

İnce tabakalı transistör (İngilizce: thin-film transistor, kısaca TFT) aktif bir yarı iletken katmanın ince filmlerini biriktirerek yapılmış özel bir tür alan etkili transistördür. Alt tabaka (ince film kaplama teknikleri) üzerindeki dielektrik tabaka ve metalik kontakları içerir.[1] Ortak bir alt tabaka camdır, çünkü TFT'lerin birincil uygulaması sıvı kristal ekranlardadır. Bu, yarıiletken malzemenin tipik olarak bir Silikon Wafer gibi alt tabaka olduğu geleneksel transistörden farklıdır.[2]

Yapısı

değiştir

TFT'ler çok çeşitli yarı iletken malzemeler kullanılarak yapılabilir. Ortak bir malzeme silikondur. Bir silikon tabanlı TFT'nin özellikleri, silikonun kristal haline bağlıdır; yani, yarıiletken tabaka ya amorf silikon, nanokristalin silikon olabilir ya da polikristalin silikon içerisine tavlanabilir.[3] TFT'lerde yarı iletken olarak kullanılan diğer malzemeler, kadmiyum selenit gibi bileşik yarı iletkenleri, çinko oksit gibi metal oksitleri veya hafniyum(IV) oksit-dir. Hafniyum oksit için bir uygulama, yüksek κ dielektriktir. TFT'ler ayrıca, organik alan etkili transistörler veya OTFT olarak anılan organik materyalleri kullanarak yapılmıştır.[4]

İndiyum kalay oksit (ITO) gibi saydam yarı iletkenleri ve şeffaf elektrotları kullanarak bazı TFT cihazları tamamen şeffaf hale getirilebilir. Bu şeffaf TFT'ler, video ekran panellerinin yapımı için kullanılabilir. Geleneksel substratlar yüksek tavlama sıcaklıklarına dayanamayacağından, çökelme işlemi nispeten düşük sıcaklıklarda tamamlanmalıdır.[5] Kimyasal buhar biriktirme ve fiziksel buhar biriktirme (genellikle püskürtme) uygulanır. Çinko oksit esaslı ilk çözelti ile işlenmiş TTFT'ler, 2003 yılında Oregon Devlet Üniversitesi'ndeki araştırmacılar tarafından rapor edildi. Lizbon Yeni Üniversite'deki Portekizli laboratuvar CENIMAT, oda sıcaklığında dünyanın ilk tamamen şeffaf TFT'sini üretti. CENIMAT ayrıca dergiler ve günlükli sayfalar gibi hareketli görüntülere sahip olabilecek ilk kağıt transistörünü geliştirdi.[6]

Uygulamalar

değiştir

İnce film transistörlerin en bilinen uygulaması LCD teknolojisinin bir uygulaması olan TFT LCD'lerdedir. Transistörler panelin kendisi içine gömülür, pikseller arasındaki karışma oranını düşürür ve görüntü sabitliğini geliştirir.

2008 yılı itibarıyla, birçok renkli LCD TV ve monitör bu teknolojiyi kullanmaktadır. TFT paneller genel radyografide sayısal radyografi uygulamalarında sıklıkla kullanılmaktadır.[7] Bir TFT, tıbbi radyografide görüntü reseptörü için bir taban olarak doğrudan ve dolaylı yakalama olarak kullanılır. AMOLED ve OLED (aktif matrisli organik ışık yayan diyot) ekranlar ayrıca bir TFT katmanı içerir. TFT teknolojisinin en faydalı yönü, ekrandaki her piksel için ayrı bir transistör kullanılmasıdır. Her transistör küçük olduğundan, kontrol etmek için gereken şarj miktarı da azdır. Bu, ekranın çok hızlı yeniden çizilmesini sağlar.[8]

TFT-görüntü matrisinin yapısı

değiştir

Bu resim, gerçek ışık kaynağı (genellikle soğuk katotlu floresan lambalar veya beyaz LED'ler), sadece TFT ekran matrisi içermez.

Kaynakça

değiştir
  1. ^ "Arşivlenmiş kopya". 28 Ağustos 2017 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 19 Ağustos 2017. 
  2. ^ "Arşivlenmiş kopya" (PDF). 29 Ağustos 2017 tarihinde kaynağından arşivlendi (PDF). Erişim tarihi: 19 Ağustos 2017. 
  3. ^ "Arşivlenmiş kopya". 22 Ağustos 2017 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 19 Ağustos 2017. 
  4. ^ "Arşivlenmiş kopya". 18 Temmuz 2018 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 19 Ağustos 2017. 
  5. ^ "Arşivlenmiş kopya". 23 Aralık 2016 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 19 Ağustos 2017. 
  6. ^ "Arşivlenmiş kopya". 5 Ağustos 2016 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 19 Ağustos 2017. 
  7. ^ "Arşivlenmiş kopya". 8 Eylül 2017 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 19 Ağustos 2017. 
  8. ^ "Arşivlenmiş kopya". 21 Ekim 2017 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 19 Ağustos 2017. 

Dış bağlantılar

değiştir

Ayrıca bakınız

değiştir