IGBT
IGBT(Açılımı: insulated-gate bipolar transistor), elektronik devre elemanını sürerken mosfet gibi, (voltaj kontrollü) iş yaparken bipolar transistör (yüksek akım) gibi davranır.
 Nominal akımı 1200 A ve maksimum gerilimi 3300 V olan IGBT modülü (IGBT'ler ve serbest diyotlar) | |
| Çalışma ilkesi | Yarı iletken |
|---|---|
| İcat edilme | 1959 |
| Elektronik sembol | |
 .svg) IGBT şematik sembolü | |
Bir devre yardımıyla açıp kapatabileceğiniz bir diyot gibi, gate ucu ile kontrol edebileceğiniz triak gibi ya da yine gate ile kontrol edebileceğiniz bir mosfet transistor gibi kullanabilirsiniz.